Image is for reference only , details as Specifications

SI3900DV-T1-GE3

سازندگان: Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها: SI3900DV-T1-GE3
توضیحات: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
وضعیت RoHS: سازگار با RoHS
ویژگی مقدار مشخصه
تولید کننده Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری TrenchFET®
نوع FET 2 N-Channel (Dual)
بسته بندی Digi-Reel®
ویژگی های FET Logic Level Gate
قسمت وضعیت Active
قدرت حداکثر 830mW
نوع نصب Surface Mount
بسته بندی/مورد SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
شماره قسمت پایه SI3900
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه 1.5V @ 250µA
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
بسته بندی دستگاه تامین کننده 6-TSOP
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 4nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds -
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c 2A

در انبار 5957 pcs

قیمت مرجع ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
حداقل: 1

درخواست نقل قول

فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت

Bargain Finds

FDS6990AS
ON Semiconductor
$0
SI4532DY
ON Semiconductor
$0
QH8KA4TCR
ROHM Semiconductor
$0
STS2DNF30L
STMicroelectronics
$0