تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

CSD85312Q3E

سازندگان:	NA
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	CSD85312Q3E
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	NA
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	NexFET™
نوع FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
بسته بندی	Digi-Reel®
ویژگی های FET	Logic Level Gate, 5V Drive
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	2.5W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerVDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1.4V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-VSON (3.3x3.3)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2390pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	39A