تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TPN1R603PL,L1Q

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	TPN1R603PL,L1Q
توضیحات:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	U-MOSIX-H
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerVDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.1V @ 300µA
دمای عملیاتی	175°C
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	1.6mOhm @ 40A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	104W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-TSON Advance (3.3x3.3)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	41nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3900pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V