تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI3460BDV-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SI3460BDV-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±8V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	27mOhm @ 5.1A, 4.5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	2W (Ta), 3.5W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	6-TSOP
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	24nC @ 8V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	860pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	1.8V, 4.5V