تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

ZXMN2A04DN8TA

سازندگان:	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	ZXMN2A04DN8TA
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	-
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
بسته بندی	Cut Tape (CT)
ویژگی های FET	Logic Level Gate
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1.8W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	700mV @ 250µA (Min)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	25mOhm @ 5.9A, 4.5V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-SO
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	22.1nC @ 5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1880pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	5.9A