تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SIZF920DT-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	SIZF920DT-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	TrenchFET® Gen IV
نوع FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
بسته بندی	Digi-Reel®
ویژگی های FET	Standard
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerWDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-PowerPair® (6x5)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	29nC @ 10V, 125nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)