تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SUD35N10-26P-T4GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SUD35N10-26P-T4GE3
توضیحات:	MOSFET N-CH 100V 35A TO252
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4.4V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	26mOhm @ 12A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-252, (D-Pak)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	47nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2000pF @ 12V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	35A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	7V, 10V