SISS06DN-T1-GE3
سازندگان: | Vishay / Siliconix |
---|---|
دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
برگه داده ها: | SISS06DN-T1-GE3 |
توضیحات: | MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212 |
وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
ویژگی | مقدار مشخصه |
---|---|
تولید کننده | Vishay / Siliconix |
دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
سری | TrenchFET® Gen IV |
نوع FET | N-Channel |
بسته بندی | Cut Tape (CT) |
Vgs (حداکثر) | +20V, -16V |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
ویژگی های FET | - |
قسمت وضعیت | Active |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته بندی/مورد | PowerPAK® 1212-8S |
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 2.2V @ 250µA |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 1.38mOhm @ 15A, 10V |
استهلاک قدرت (حداکثر) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
بسته بندی دستگاه تامین کننده | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 77nC @ 10V |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3660pF @ 15V |
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 47.6A (Ta), 172.6A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 4.5V, 10V |
در انبار 50 pcs
قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.12 | $1.10 | $1.08 |
حداقل: 1