تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SISC06DN-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SISC06DN-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET N-CH 30V
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET® Gen IV
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	+20V, -16V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	PowerPAK® 1212-8
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.1V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	2.7mOhm @ 15A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PowerPAK® 1212-8
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	58nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2455pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	27.6A (Ta), 40A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V