تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید
SIS606BDN-T1-GE3
| سازندگان: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| برگه داده ها: | SIS606BDN-T1-GE3 |
| توضیحات: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Vishay / Siliconix |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| سری | TrenchFET® Gen IV |
| نوع FET | N-Channel |
| بسته بندی | Cut Tape (CT) |
| Vgs (حداکثر) | ±20V |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| ویژگی های FET | - |
| قسمت وضعیت | Active |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی/مورد | PowerPAK® 1212-8 |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 4V @ 250µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 17.4mOhm @ 10A, 10V |
| استهلاک قدرت (حداکثر) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | PowerPAK® 1212-8 |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1470pF @ 50V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 7.5V, 10V |
در انبار 6000 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.46 | $1.43 | $1.40 |
حداقل: 1
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
Bargain Finds
