SIHB20N50E-GE3
سازندگان: | Vishay / Siliconix |
---|---|
دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
برگه داده ها: | SIHB20N50E-GE3 |
توضیحات: | MOSFET N-CH 500V 19A TO-263 |
وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
ویژگی | مقدار مشخصه |
---|---|
تولید کننده | Vishay / Siliconix |
دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
سری | - |
نوع FET | N-Channel |
بسته بندی | Bulk |
Vgs (حداکثر) | ±30V |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
ویژگی های FET | - |
قسمت وضعیت | Active |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته بندی/مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 4V @ 250µA |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 184mOhm @ 10A, 10V |
استهلاک قدرت (حداکثر) | 179W (Tc) |
بسته بندی دستگاه تامین کننده | D²PAK (TO-263) |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 92nC @ 10V |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 500V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1640pF @ 100V |
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 19A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 10V |
در انبار 1000 pcs
قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$3.13 | $3.07 | $3.01 |
حداقل: 1