تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SIA429DJT-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SIA429DJT-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET®
نوع FET	P-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±8V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	20.5mOhm @ 6A, 4.5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SC-70-6 Single
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	62nC @ 8V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1750pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	12A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	1.5V, 4.5V