تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI7900AEDN-T1-E3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	SI7900AEDN-T1-E3
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	TrenchFET®
نوع FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
بسته بندی	Cut Tape (CT)
ویژگی های FET	Logic Level Gate
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1.5W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	PowerPAK® 1212-8 Dual
شماره قسمت پایه	SI7900
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	900mV @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	26mOhm @ 8.5A, 4.5V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PowerPAK® 1212-8 Dual
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	16nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	-
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	6A