تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI7102DN-T1-E3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SI7102DN-T1-E3
توضیحات:	MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±8V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	PowerPAK® 1212-8
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1V @ 250µA
دمای عملیاتی	-50°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	3.8mOhm @ 15A, 4.5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	110nC @ 8V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	12V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3720pF @ 6V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	35A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	2.5V, 4.5V