تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI5902BDC-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	SI5902BDC-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	TrenchFET®
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
بسته بندی	Digi-Reel®
ویژگی های FET	Logic Level Gate
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	3.12W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-SMD, Flat Lead
شماره قسمت پایه	SI5902
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	3V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	1206-8 ChipFET™
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	7nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	220pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	4A