تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI5855DC-T1-E3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SI5855DC-T1-E3
توضیحات:	MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET®
نوع FET	P-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±8V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	Schottky Diode (Isolated)
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-SMD, Flat Lead
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	110mOhm @ 2.7A, 4.5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	1.1W (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	1206-8 ChipFET™
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	2.7A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	1.8V, 4.5V