تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید
SI5509DC-T1-GE3
| سازندگان: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| برگه داده ها: | SI5509DC-T1-GE3 |
| توضیحات: | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Vishay / Siliconix |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| سری | TrenchFET® |
| نوع FET | N and P-Channel |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی های FET | Logic Level Gate |
| قسمت وضعیت | Obsolete |
| قدرت حداکثر | 4.5W |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی/مورد | 8-SMD, Flat Lead |
| شماره قسمت پایه | SI5509 |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 2V @ 250µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 52mOhm @ 5A, 4.5V |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | 1206-8 ChipFET™ |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 20V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 455pF @ 10V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 6.1A, 4.8A |
در انبار 70 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
حداقل: 1
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
Bargain Finds
