تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI4925BDY-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	SI4925BDY-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	TrenchFET®
نوع FET	2 P-Channel (Dual)
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
ویژگی های FET	Logic Level Gate
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1.1W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شماره قسمت پایه	SI4925
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	3V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	25mOhm @ 7.1A, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-SO
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	50nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	-
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	5.3A