تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI4666DY-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SI4666DY-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±12V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1.5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	10mOhm @ 10A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-SO
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	34nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	25V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1145pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	16.5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	2.5V, 10V