تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI2319DDS-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SI2319DDS-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET P-CHAN 40V
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET® Gen III
نوع FET	P-Channel
بسته بندی	Cut Tape (CT)
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	75mOhm @ 2.7A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-23-3 (TO-236)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	19nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	650pF @ 20V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V