Image is for reference only , details as Specifications
SI2319DDS-T1-GE3
| سازندگان: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| برگه داده ها: | SI2319DDS-T1-GE3 |
| توضیحات: | MOSFET P-CHAN 40V |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Vishay / Siliconix |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| سری | TrenchFET® Gen III |
| نوع FET | P-Channel |
| بسته بندی | Cut Tape (CT) |
| Vgs (حداکثر) | ±20V |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| ویژگی های FET | - |
| قسمت وضعیت | Active |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی/مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 2.5V @ 250µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 75mOhm @ 2.7A, 10V |
| استهلاک قدرت (حداکثر) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | SOT-23-3 (TO-236) |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 650pF @ 20V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 4.5V, 10V |
در انبار 2585 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.49 | $0.48 | $0.47 |
حداقل: 1
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
Bargain Finds
