تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SI2301BDS-T1-GE3

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SI2301BDS-T1-GE3
توضیحات:	MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchFET®
نوع FET	P-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±8V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	950mV @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	100mOhm @ 2.8A, 4.5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	700mW (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-23-3 (TO-236)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	10nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	375pF @ 6V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	2.2A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	2.5V, 4.5V