تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IRFD123PBF

سازندگان:	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRFD123PBF
توضیحات:	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Vishay / Siliconix
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	270mOhm @ 780mA, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	1.3W (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	16nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	360pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	1.3A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V