تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TP65H070LDG

سازندگان:	Transphorm
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	TP65H070LDG
توضیحات:	650 V 25 A GAN FET
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Transphorm
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TP65H070L
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	GaNFET (Gallium Nitride)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	3-PowerDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4.8V @ 700µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	85mOhm @ 16A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	96W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	3-PQFN (8x8)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	9.3nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	600pF @ 400V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	25A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V