تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TPN2R805PL,L1Q

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	TPN2R805PL,L1Q
توضیحات:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	U-MOSIX-H
نوع FET	N-Channel
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerVDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.4V @ 300µA
دمای عملیاتی	175°C
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	2.8mOhm @ 40A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-TSON Advance (3.3x3.3)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	39nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	45V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3.2nF @ 22.5V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	139A (Ta), 80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V