تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TK9J90E,S1E

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	TK9J90E,S1E
توضیحات:	MOSFET N-CH 900V TO-3PN
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 900µA
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	1.3Ohm @ 4.5A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	250W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-3P(N)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	46nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	900V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2000pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	9A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V