Image is for reference only , details as Specifications
TK39J60W,S1VQ
| سازندگان: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| برگه داده ها: | TK39J60W,S1VQ |
| توضیحات: | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Toshiba Semiconductor and Storage |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| سری | DTMOSIV |
| نوع FET | N-Channel |
| بسته بندی | Tube |
| Vgs (حداکثر) | ±30V |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| ویژگی های FET | Super Junction |
| قسمت وضعیت | Active |
| نوع نصب | Through Hole |
| بسته بندی/مورد | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 3.7V @ 1.9mA |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 65mOhm @ 19.4A, 10V |
| استهلاک قدرت (حداکثر) | 270W (Tc) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | TO-3P(N) |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 600V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 38.8A (Ta) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 10V |
در انبار 41 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $9.28 | $9.09 | $8.91 |
حداقل: 1
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
Bargain Finds
