تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TK31J60W,S1VQ

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	TK31J60W,S1VQ
توضیحات:	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	DTMOSIV
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	Super Junction
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	3.7V @ 1.5mA
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	88mOhm @ 15.4A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	230W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-3P(N)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	86nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3000pF @ 300V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	30.8A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V