تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TK17E65W,S1X

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	TK17E65W,S1X
توضیحات:	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	DTMOSIV
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-220-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	3.5V @ 900µA
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	200mOhm @ 8.7A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	165W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-220
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	45nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1800pF @ 300V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	17.3A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V