تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
توضیحات:	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	U-MOSVI
نوع FET	P-Channel
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
Vgs (حداکثر)	+10V, -20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	3V @ 1mA
دمای عملیاتی	175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	104mOhm @ 4A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	27W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	DPAK+
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	19nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	890pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	8A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	6V, 10V