تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

RN1901FETE85LF

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
برگه داده ها:	RN1901FETE85LF
توضیحات:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Digi-Reel®
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	100mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	SOT-563, SOT-666
نوع ترانزیستور	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
مقاومت پایه (R1)	4.7kOhms
انتقال فرکانس	250MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	ES6
مقاومت-پایه امیتر (R2)	4.7kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	300mV @ 250µA, 5mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	100nA (ICBO)
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	30 @ 10mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V