تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

RN1427TE85LF

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
برگه داده ها:	RN1427TE85LF
توضیحات:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	200mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
نوع ترانزیستور	NPN - Pre-Biased
شماره قسمت پایه	RN142*
مقاومت پایه (R1)	2.2 kOhms
انتقال فرکانس	300MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	S-Mini
مقاومت-پایه امیتر (R2)	10 kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	250mV @ 1mA, 50mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	800mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	500nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	90 @ 100mA, 1V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V