تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

RN1412TE85LF

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
برگه داده ها:	RN1412TE85LF
توضیحات:	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Digi-Reel®
قسمت وضعیت	Discontinued at Digi-Key
قدرت حداکثر	200mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
نوع ترانزیستور	NPN - Pre-Biased
مقاومت پایه (R1)	22 kOhms
انتقال فرکانس	250MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	S-Mini
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	300mV @ 250µA, 5mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	100nA (ICBO)
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	120 @ 1mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V