تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

RN1101MFV,L3F

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
برگه داده ها:	RN1101MFV,L3F
توضیحات:	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Digi-Reel®
قسمت وضعیت	Discontinued at Digi-Key
قدرت حداکثر	150mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	SOT-723
نوع ترانزیستور	NPN - Pre-Biased
مقاومت پایه (R1)	4.7 kOhms
بسته بندی دستگاه تامین کننده	VESM
مقاومت-پایه امیتر (R2)	4.7 kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	300mV @ 500µA, 5mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	500nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	30 @ 10mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V