تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

MT3S113P(TE12L,F)

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
برگه داده ها:	MT3S113P(TE12L,F)
توضیحات:	RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
دست آوردن	10.5dB
سری	-
بسته بندی	Digi-Reel®
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1.6W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-243AA
نوع ترانزیستور	NPN
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
انتقال فرکانس	7.7GHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PW-MINI
شکل سر و صدا (dB تایپ @ f)	1.45dB @ 1GHz
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	200 @ 30mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	5.3V