تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

MT3S111TU,LF

سازندگان: Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
برگه داده ها: MT3S111TU,LF
توضیحات: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
وضعیت RoHS: سازگار با RoHS
ویژگی مقدار مشخصه
تولید کننده Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات Transistors - Bipolar (BJT) - RF
دست آوردن 12.5dB
سری -
بسته بندی Digi-Reel®
قسمت وضعیت Active
قدرت حداکثر 800mW
نوع نصب Surface Mount
بسته بندی/مورد 3-SMD, Flat Leads
نوع ترانزیستور NPN
دمای عملیاتی 150°C (TJ)
انتقال فرکانس 10GHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده UFM
شکل سر و صدا (dB تایپ @ f) 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر) 100mA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce 200 @ 30mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر) 6V

در انبار 57 pcs

قیمت مرجع ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
حداقل: 1

درخواست نقل قول

فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت

Bargain Finds

2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
BFU530WX
NXP USA Inc.
$0
BFP520FH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
2SC5226A-5-TL-E
ON Semiconductor
$0