تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

2SA1013-O,T6MIBF(J

سازندگان:	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
برگه داده ها:	2SA1013-O,T6MIBF(J
توضیحات:	TRANS PNP 1A 160V TO226-3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Toshiba Semiconductor and Storage
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
سری	-
بسته بندی	Bulk
قسمت وضعیت	Obsolete
قدرت حداکثر	900mW
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
نوع ترانزیستور	PNP
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
انتقال فرکانس	50MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-92L
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	1.5V @ 50mA, 500mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	1A
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	1µA (ICBO)
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	60 @ 200mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	160V