تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TH58NYG2S3HBAI6

سازندگان: Toshiba Memory
دسته بندی محصولات: USB Flash Drives
برگه داده ها: TH58NYG2S3HBAI6
توضیحات: NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
وضعیت RoHS: سازگار با RoHS
ویژگی مقدار مشخصه
Rohs Details
برند Toshiba Memory
بسته بندی Tray
اندازه حافظه 4 Gbit
نوع حافظه NAND
زیرشاخه Memory & Data Storage
تولید کننده Toshiba
سازمان 512 M x 8
نوع محصول NAND Flash
پهنای اتوبوس داده ها 8 bit
نوع رابط Parallel
سبک نصب SMD/SMT
بسته بندی/مورد VFBGA-67
دسته بندی محصولات NAND Flash
رطوبت حساس Yes
ولتاژ تامین-حداکثر 1.95 V
ولتاژ تامین-Min 1.7 V
مقدار کارخانه بسته 210
حداکثر دمای عملیاتی + 85 C
حداقل دمای عملیاتی - 40 C

در انبار 84 pcs

قیمت مرجع ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.10 $4.02 $3.94
حداقل: 1

درخواست نقل قول

فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت

Bargain Finds

GS816032DGT-375
GSI Technology
$21.07
GS8321E32AGD-333I
GSI Technology
$45.54
GS8160E32DGT-333I
GSI Technology
$21.36
GS8160E18DGT-333I
GSI Technology
$21.36
GS8160Z18DGT-333I
GSI Technology
$21.36