تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

TSM60NB190CZ C0G

سازندگان:	Taiwan Semiconductor Corporation
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	TSM60NB190CZ C0G
توضیحات:	MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Taiwan Semiconductor Corporation
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-220-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	190mOhm @ 6A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	33.8W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-220
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	31nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1273pF @ 100V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	18A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V