تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

STW58N65DM2AG

سازندگان:	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	STW58N65DM2AG
توضیحات:	MOSFET N-CH 650V 48A
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±25V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-247-3
شماره قسمت پایه	STW58N
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	65mOhm @ 24A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	360W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-247
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	88nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4100pF @ 100V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	48A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V