تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

STH315N10F7-2

سازندگان:	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	STH315N10F7-2
توضیحات:	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	DeepGATE™, STripFET™ VII
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
شماره قسمت پایه	STH315
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4.5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	2.3mOhm @ 60A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	315W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	H2Pak-2
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	180nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	12800pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	180A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V