تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

STB35N60DM2

سازندگان:	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	STB35N60DM2
توضیحات:	MOSFET N-CH 600V 28A
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	MDmesh™ DM2
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Cut Tape (CT)
Vgs (حداکثر)	±25V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
شماره قسمت پایه	STB35N
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	110mOhm @ 14A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	210W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	D2PAK
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	54nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2400pF @ 100V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	28A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V