Image is for reference only , details as Specifications

STB120N4F6

سازندگان:	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	STB120N4F6
توضیحات:	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	DeepGATE™, STripFET™ VI
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Cut Tape (CT)
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
شماره قسمت پایه	STB120N
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	4mOhm @ 40A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	110W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	D2PAK
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	65nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3850pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V