Image is for reference only , details as Specifications

SCT30N120

سازندگان:	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SCT30N120
توضیحات:	MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	STMicroelectronics
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	+25V, -10V
فن آوری	SiCFET (Silicon Carbide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-247-3
شماره قسمت پایه	SCT30
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.6V @ 1mA (Typ)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
استهلاک قدرت (حداکثر)	270W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	HiP247™
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	105nC @ 20V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1700pF @ 400V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	40A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	20V