Image is for reference only , details as Specifications

SCT2H12NYTB

سازندگان:	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SCT2H12NYTB
توضیحات:	1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	+22V, -6V
فن آوری	SiCFET (Silicon Carbide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 410µA
دمای عملیاتی	175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
استهلاک قدرت (حداکثر)	44W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-268
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	14nC @ 18V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1700V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	184pF @ 800V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	4A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	18V