تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

RS1E350GNTB

سازندگان:	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	RS1E350GNTB
توضیحات:	4.5V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOS
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerTDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.5V @ 1mA
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	1.7mOhm @ 35A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	3W (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-HSOP
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	68nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4060pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	35A (Ta), 80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V