Image is for reference only , details as Specifications

RQ3E120BNTB

سازندگان:	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	RQ3E120BNTB
توضیحات:	MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerVDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.5V @ 1mA
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	9.3mOhm @ 12A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	2W (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-HSMT (3.2x3)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	29nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1500pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	12A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V