Image is for reference only , details as Specifications

EMF8T2R

سازندگان:	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
برگه داده ها:	EMF8T2R
توضیحات:	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
قسمت وضعیت	Not For New Designs
قدرت حداکثر	150mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	SOT-563, SOT-666
نوع ترانزیستور	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
مقاومت پایه (R1)	47kOhms
انتقال فرکانس	250MHz, 320MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	EMT6
مقاومت-پایه امیتر (R2)	47kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA, 500mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	500nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V, 12V