تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

DTA123JUAT106

سازندگان:	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
برگه داده ها:	DTA123JUAT106
توضیحات:	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Cut Tape (CT)
قسمت وضعیت	Not For New Designs
قدرت حداکثر	200mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	SC-70, SOT-323
نوع ترانزیستور	PNP - Pre-Biased
شماره قسمت پایه	DTA123
مقاومت پایه (R1)	2.2 kOhms
انتقال فرکانس	250MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	UMT3
مقاومت-پایه امیتر (R2)	47 kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	300mV @ 250µA, 5mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	500nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	80 @ 10mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V