تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

BSM300D12P2E001

سازندگان:	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	BSM300D12P2E001
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 1200V 300A
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	-
نوع FET	2 N-Channel (Half Bridge)
بسته بندی	Tray
ویژگی های FET	Silicon Carbide (SiC)
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1875W
نوع نصب	Chassis Mount
بسته بندی/مورد	Module
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 68mA
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	-
بسته بندی دستگاه تامین کننده	Module
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V (1.2kV)
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	35000pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	300A (Tc)