Image is for reference only , details as Specifications

BSM180C12P2E202

سازندگان:	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	BSM180C12P2E202
توضیحات:	BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ROHM Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tray
Vgs (حداکثر)	+22V, -6V
فن آوری	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Chassis Mount
بسته بندی/مورد	Module
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 35.2mA
دمای عملیاتی	175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	-
استهلاک قدرت (حداکثر)	1360W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	Module
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	20000pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	204A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	-